Тарифы Услуги Сим-карты

Кристалл процессора. Как делают процессоры? ГДЕ производят процессоры Intel

Сейчас полно информации в интернете по теме процессоров, можно найти кучу статей о том как он работает, где в основном упоминаются регистры, такты, прерывания и прочее...Но, человеку не знакомому со всеми этими терминами и понятиями достаточно трудно вот так "с лету" вникнуть в понимание процесса, а начинать надо с малого - а именно с элементарного понимания как устроен процессор и из каких основных частей он состоит .

Итак, что же окажется внутри микропроцессора, если его разобрать:

цифрой 1 обозначается металлическая поверхность (крышка) микропроцессора, служащая для отвода тепла и защиты от механических повреждений того, что находится за этой крышкой (тоесть внутри самого процессора).

Под номером 2 - находится сам кристалл, по факту являющийся самой важной и дорогой в изготовлении частью микропроцессора. Именно благодаря этому кристаллу происходят все вычисления (а это и есть самая главная функция процессора) и чем он сложнее, чем совершенней - тем мощнее получается процессор и тем дороже соответственно. Кристалл изготавливается из кремния. На самом деле процесс изготовления очень сложный и содержит в себе десятки шагов, подробнее в этом видео:

Цифра 3 - специальная текстолитовая подложка, к которой крепятся все остальные части процессора, кроме того она играет роль контактной площадки - на ее обратной стороне есть большое количество золотистых "точек" - это контакты (на рисунке их немного видно). Благодаря контактной площадке (подложке) обеспечивается тесное взаимодействие с кристаллом, ибо напрямую хоть как нибудь воздействовать на кристалл не представляется возможным.

Крышка (1) крепится к подложке (3) с помощью клея-герметика, устойчивого к высоким температурам. Между кристаллом (2) и крышкой нет воздушного зазора, его место занимает термопаста, при застывании из нее получается "мостик" между кристаллом процессора и крышкой, благодаря чему обеспечивается очень хороший отток тепла.

Кристалл соединяется с подложкой с помощью пайки и герметика, контакты подложки соединяются с контактами кристалла. На этом рисунке наглядно показано как соединяются контакты кристалла с контактами подложки при помощи очень тонких проводков (на фото 170-кратное увеличение):

Вообще устройство процессоров разных производителей и даже моделей одного производителя может сильно разниться. Однако принципиальная схема работы остается прежней - у всех есть контактная подложка, кристалл (или несколько, расположенных в одном корпусе) и металлическая крышка для отвода тепла.

Так например выглядит контактная подложка процессора Intel Pentium 4 (процессор перевернут):

Форма контактов и структура их расположения зависит от процессора и материнской платы компьютера (сокеты должны совпадать). Например на рисунке чуть выше контакты у процессора без "штырьков", поскольку штырьки находятся прямо в сокете материнской платы.

А бывает другая ситуация, где "штырьки" контактов торчат прямо из контактной подложки. Эта особенность характерна в основном для процессоров AMD:

Как уже упоминалось выше, устройство разных моделей процессоров одного производителя может различаться, перед нами яркий тому пример - четырехъядерный процессор Intel Core 2 Quad, который по сути представляет собой 2 двухъядерных процессора линейки core 2 duo, совмещенных в одном корпусе:

Важно! Количество кристаллов внутри процессора и количество ядер процессора - не одно и то же.

В современных моделях процессоров Intel умещается сразу 2 кристалла (чипа). Второй чип - графическое ядро процессора, по-сути играет роль встроенной в процессор видеокарты, тоесть даже если в системе отсутствует , графическое ядро возьмет на себя роль видеокарты, причем довольно мощной (в некоторых моделях процессоров вычислительная мощь графических ядер позволяет играть в современные игры на средних настройках графики).

Вот и все устройство центрального микропроцессора , вкратце конечно же.

Расклад сил

Год назад мы уже рассказывали о новом в кратком обзоре « ». (Кстати, применять аббревиатуру APU мы тут не будем, используя более знакомый термин .) Рассматривать Llano отдельно от остальных двух новинок этого года от AMD было бы неверно, ибо компания весьма точно разделила потребителей на сегменты, покрыв новыми процессорами почти всё, что до 2011 г. было отдано на откуп Феномам, Атлонам и Семпронам. Главной идеей создания гибридных ЦП было помещение графического процессора (ГП) на кристалл центрального, названное маркетологами «слиянием» (Fusion). Ранее интегрированная графика у AMD существовала лишь в северном мосте чипсета (у Intel её в 2010 г. переместили в ЦП, но оставили отдельным , причём изготовленным по худшей ). А какая вообще графика требуется пользователям?

  • Простая: для интернета, офиса, фильмов и старых игр - только это до сих пор и могла обеспечить «интеграшка»;
  • Быстрая: в т. ч. для современных игр - такой уровень и сейчас под силу только отдельным видеокартам, цена которых чаще всего больше, чем у ЦП;
  • Средняя: в т. ч. для игр, но либо не самых современных, либо не с самыми крутыми настройками, а главное - в компактном и тихом корпусе и за весьма ограниченный бюджет.

Именно для таких среднячков и сделан Llano. Он точно не поставит рекорды ни в одной категории, которой обычно сравнивают процессоры - ни по скорости (причём и в графической, и в вычислительной частях), ни по экономии, ни по цене. Его цель - занять золотую середину между всеми крайностями. Хотя нельзя сказать, что новизны нет совсем: гибридный ЦП впервые позволил сделать систему одновременно компактную (даже северный мост не нужен), пригодную для большинства игр и доступную почти всем игрокам. Например, всё более популярный форм-фактор «всё-в-одном» (монитор и системный блок в одном корпусе) теперь получит достойную 3D-графику.

Помимо того, что хотят массы, AMD должна была учесть и собственные возможности, которые сильно рассеяны из-за внедрения в течение года трёх , причём каждая - по новому для фирмы (совершенно немыслимая для конкурента ситуация - с их известной стратегией «тик-так»). Поэтому в данном случае (из трёх) ради минимизации рисков и экономии денег и времени решили не делать новую -архитектуру, а в очередной (но последний) раз обновить и дополнить старую. Так получились K12, пришедшие на смену K10.

Впрочем, весь процессор мог «получиться» куда раньше. Дело в том, что впервые идея об APU была заявлена из уст представителей AMD ещё в 2006 г., почти одновременно с покупкой ATI. Уже через год планов было громадье: сначала готовилась интеграция двух кристаллов в корпусе (как сделала Intel), затем - на одном кристалле, но со слабым взаимодействием (видимо, с отдельным КП для графической памяти), потом - с разделяемыми ресурсами, и, наконец, с полным «сплавом» вычислительных блоков общего и графического назначений. Причём шаг №1 должен был произойти уже в 2008 или 2009 г. Ясно, что многое пошло не так, а сложная финансовая ситуация заставила AMD даже выделить производственные мощности в виде отдельной компании Global Foundries (GF). Потерянное время пришлось навёрстывать авралом, так что первый вышедший APU оказался сразу третьим шагом вышеозначенного плана.

Если кратко перечислить суть Llano, то получится вот что:

  • 2–4 ядра K12, суть - улучшенные K10;
  • по 0,5 или 1 МБ на ядро, без ;
  • накристальный ГП класса HD 5000;
  • более скоростной , чем у K10, но лишённый за ненадобностью поддержки ;
  • контроллер шины PCIe 2.0, в т. ч. для подключения внешней видеокарты или двух;
  • более агрессивный авторазгон 2.0 (TC), но только для x86-ядер;
  • шин питания x86-ядер, ГП и блока UVD;
  • кристалл изготовлен по 32 нм технорме.
K10++ = K12

Интересно, что AMD ради высокой производительности GPGPU и некоторых других вычислений (в т. ч. перекодировании видео) сделала оптимизацию случая, когда графические и x86-ядра работают над общими данными - при этом их не требуется копировать из общей (когерентной) памяти в графическую и обратно. Интерфейс OpenCL даёт сразу несколько способов это сделать. Например, область памяти типа USWC (некэшируемая, упреждающая, со слиянием записей) обычно используется под кадровый буфер, но графические и x86-ядра могут получать к ней доступ поочерёдно. Также можно объявить некоторые страницы «фиксированными» (pinned), которых накладываются на непрерывно (для облегчения трансляции) - тогда любые ядра могут одновременно получать в них доступ, хотя для ГП так будет медленней.

Впрочем, эта оптимизация меркнет при рассмотрении пропусков разных видов обменов. На схемах видно, что максимум ПСП для одно- и многопоточного обменов между памятью и x86-ядрами - всего 8 и 13 ГБ/с, т. е. 27% и 43% от теоретического пика. Цифры для ГП - 40% и 57%. Тут, правда, не ясно, допустимо ли сложение чтений и записей - если да, то ситуация несколько лучше: одновременно читая и записывая, только x86-ядра могут в многопотоке загрузить 87% ПСП, а только графические - 97%. Тем не менее, странно, почему для каждого случая мы не можем получить 100%. Возможно, дело как раз в том самом приоритете для ГП, который понижает ПСП и для себя (когда простаивают x86-часть), и для x86 (когда молчит уже ГП).

Ещё меньше пропуски при обменах с чужими адресными пространствами, но тут объяснения есть: где-то нет кэширования в L2, а только буферы (WC, по 4 на ядро); где-то нужны снуп-проверка и трансляция адресов. В любом случае, AMD ещё надо хорошо поработать, чтобы нагрузить на полную широкие внутренние шины и внешнюю память. Для сравнения, ещё более широкая кольцевая шина в Sandy Bridge сразу даёт весь свой теоретический максимум, т. к. подключена к кэшу L3. Наконец-то 32!

Тут GF явно в догоняющих. Её 32-нанометровый техпроцесс на частично обеднённых КНИ-пластинах (PD-SOI) использует HKMG-транзисторы с напряжённым кремнием, изготовленные по методу «затвор первым» (детали обо всех этих технологий см. в нашем ). По утверждению GF, на кристалле могут присутствовать транзисторы, настроенные под три разных напряжения срабатывания - от 0,8 до 1,3 В (какие из них фактически используются в Llano - не ясно). Поверх них - 11-слойная медная металлизация с низкопроницаемыми диэлектриками; шаг затвора с учётом его контакта до одного из нижних трёх слоёв дорожек - 104 нм (для сравнения параметры Intel: 9 металлов и 112,5 нм - детально значение этих цифр исследовано в наших ). Есть несколько разных видов ячеек СОЗУ с разным сочетанием площади, потребления и скорости. Также допустимы (TSV), хотя на практике их в AMD пока никто не показал. В общем, всё примерно как у Intel, но в массовом производстве - на год позже.

Из тонких особенностей выделяются специальные транзисторы, корректирующие фронты сигналов для борьбы с утечками и выравнивания параметров всего массива транзисторов на многобитных шинах. Причём такая мера является «костылём», вызванным тем, что без него переведённое с 45 на 32 нм ядро заработало бы не так хорошо. При этом присутствуют и некоторые штатные средства экономии, в полном наборе имеющиеся в ядрах Bulldozer, изначально сделанных под 32 нм - детально поговорим о них в грядущей статье об этой архитектуре.

Разумеется, никак не обойти замену 6-транзисторных ячеек СОЗУ в кэшах на 8-транзисторные; зачем это надо - описано . (Кстати, впервые Intel применила такой приём экономии в Pentium 4 при переходе на 65 нм - разумеется, не для того, чтобы сделать его ультрамобильным, а т. к. иначе даже на новом техпроцессе не укладывались в предел по .) Но тут есть любопытный момент: замена почему-то почти не отразилась на площади кэшей. Чтобы разобраться с хитростями 32 нанометров у AMD, самое время заняться любимым делом процессорных аналитиков - подсчётом транзисторов:)


Кристалл 4-ядерного Llano

Итак, 4-ядерный Llano (с текущими и частотами потребляющий 35–100 Вт) имеет площадь 228 мм², на которых расположились 1450 млн. транзисторов (как обычно, сократим эту меру до «Мтр»). При этом на рекламном слайде AMD утверждает, что на x86-ядра и ГП ушло по 35%, а на СМ - 30%. Звучит крайне сомнительно: по расчётам, внеядро K10 (за вычетом контроллера и драйвера(ов) шины ) занимает ≈16 Мтр, а присутствующие тут блок UVD и контроллер PCIe никак не тянут на 419 Мтр. Возможно, речь шла о соотношении потраченной площади, что близко к реальности, но совсем не показательно, поэтому вернёмся к транзисторам. 2-ядерная версия кристалла (неизвестной пока площади) получит 758 Мтр и ГП на 240 «ядер».

Каждое ядро x86 занимает 9,69 мм² без учёта L2 и 17,7 мм² с L2. Транзисторов в нём «более 35» Мтр (у K10 было 30) + 1,38 на силовые ключи, а вместе с L2 - 110 Мтр. Предположим, что «более 35» означает «меньше 35,5», и получим ≈73,5 Мтр на мегабайт L2. Вычисленное значение для K10 - 76,25. Разница небольшая, но меньше это число точно стать не должно. Выходит, что либо ранее мы недооценивали сложность ядра K10 (где должно быть примерно на 3 Мтр больше), либо AMD (как уже многажды бывало) снова «намудрила» с цифрами. Проверим выкладки так: в «лишние» 5 Мтр должны уложится по 2 тр./бит в 128 КБ обоих L1 (это 2,1 Мтр), дополнительные 512 72-битных (скорее всего, тоже 8-транзисторных) ячеек для L2D TLB (+ 0,3 Мтр), а почти всё остальное - добавленная логика (в частности, целочисленный делитель - штука весьма немалая). Вроде всё совпадает. Видимо, «110» были округлены вниз примерно на 3 Мтр. Тем не менее, примем данное число.

Подсчитаем транзисторный бюджет большого и малого ГП + UVD + СМ: 1450−4×110=1010 и 758−2×110=538 Мтр. А теперь заглянем в той же архитектуры (изготавливаются на 40-нанометровом техпроцессе компании TSMC) и обнаружим вышеупомянутый Redwood с такими же параметрами, что и у старшего ГП Llano, но с транзисторным бюджетом лишь в 627 Мтр (включая контроллеры двух шин). А в наши 1010 Мтр уместится почти целый Juniper, который вдвое круче по всем параметрам! Далее, можно вычесть цифры Juniper из Redwood, т. к. эти ГП прежде всего отличаются формулой графических ядер и спаренных с ними спецблоков. Получаем 413 Мтр на 400 ФУ, 20 TMU и 8 ROP. Если же аналогично вычесть старший ГП Llano из младшего, то получится 472 Мтр на 160 ФУ, 8 TMU и 4 ROP!


Корпус (с варварски содранной крышкой) и основной кристалл XCGPU

Можно зайти с другой стороны - год назад был представлен чип, имеющий полное право называться первым массовым APU - XCGPU, процессор для нового поколения приставки Xbox моделей S. Предыдущие версии имели ЦП и ГП отдельно, тут же 45-нанометровое изделие GF умещает:

  • 3 ядра ЦП (чуть модифицированные версии миниядер PPE из ЦП IBM Cell), работающие на частоте 3,2 ГГц;
  • 1 МБ общего для них кэша L2, работающего с половинной частотой и подключенного к 256-битной шине;
  • 500 МГц ГП AMD Xenos на 240 ФУ с пиковой производительностью в 240 Гфлопс;
  • на втором чипе, связанном 500-мегагерцовой 512-битной шиной - 8 ROP и кадровый буфер на 10 МБ с архитектурой eDRAM (встроенное динамическое ОЗУ с 1-транзисторными ячейками).

Один корпус вместо двух (у прошлого ГП кадровый буфер также сидел рядом вторым кристаллом) сэкономил 60% TDP и 50% площади. На 10 МБ ОЗУ + ROP ушло 105 Мтр, т. е. для 8 ROP остаётся всего ≈10 Мтр. Но главное для нас то, что у основного чипа - 372 Мтр, из которых 165 ушло на ЦП + L2, а 232 - на ГП. И вот эта последняя цифра совсем не вяжется с похожим (в т. ч. по пиковой скорости) младшим ГП в Llano, которому, как мы подсчитали по не менее официальным цифрам, выпало 538 Мтр. В общем, веселуха с транзисторами продолжается - видимо, на техасщине это тоже популярная забава:) Кристалл со странностями

Теперь вернёмся к x86-ядрам. Тут полезно сделать небольшую ретроспективу. Давным-давно жила-была компания DEC - один из мировых лидеров по производству мэйнфреймов, миникомпьютеров и рабочих станций. И была в ней группа талантливых разработчиков микроархитектур, из-под руки которых вышли всемирно известные PDP-11, VAX и Alpha. О последней стоит сказать особо: её первая версия, Alpha 21064 или EV4 (1992 г.), это первый -процессор, частота которого превысила самые быстрые доселе компьютеры на ЭСЛ-логике. Второе поколение (21164 или EV5 - 1995 г.) - первый ЦП со встроенным L2 (который, правда, убрали из ЦП следующей версии). 21264 (EV6, 1998 г.) - второй (после AMD K5) 4-путный ЦП с (и с рекордными для логики 15,2 Мтр). 21364 (EV7, 2003 г.) - первый ЦП с высокоскоростным ИКП и сетевой межпроцессорной шиной. Планировавшийся на 2004 г. 21464 (EV8) должен был стать первым на 8 IPC и с 4-путной .

Но из-за просчётов руководства (и неожиданного для всех скачка производительности у x86 с выходом Pentium Pro) компьютеры с ЦП Alpha становились всё менее популярны, DEC терпела убытки, пока не была куплена компанией Compaq в 1998 г. Последняя свои микросхемы не разрабатывала и не производила (являясь активным покупателем ЦП Intel), так что судьба инженеров, продолжавших дорабатывать Альфы, была весьма печальна. В 2001 г. все наработки по Alpha (включая исследования по SMT, которые позже вырастут в технологию HyperThreading) Compaq продала в Intel, а та пригласила технарей работать над будущим Itanium (совместно с HP). (Говорят, большинство из перешедших 300 с чем-то инженеров до сих пор работают над новыми версиями этих ЦП.) Но часть персонала ушла ещё при кончине DEC…

…И ушла в AMD! Более того, Дэррик «Дёрк» Мэер, один из создателей Альфы, перешёл в AMD ещё в 1996 г. Возглавив группу, во многом состоящую из своих бывших коллег, он стал работать над новым ЦП. И уже в 1999 г. вышел первый Athlon. ЦП, разумеется, сделан с нуля, но в нём использовалась системная шина с технологией , первоначально разработанная для Alpha 21264. А в первых Opteron применили ИКП и шину HyperTransport, также от наработок для Alpha. Атлоны позволили в первый (и, пока, в последний) раз на равных соревноваться с Intel, пока та соображала, что бы такого сделать с Pentium 4… В общем, без команды архитектурщиков и инженеров из DEC об AMD сейчас бы вспоминали не чаще, чем о VIA. Но самое интересное для нас тут - как выглядели ядра Атлонов с первого по последний, и, для сравнения, Llano (по ссылкам - крупные версии):

K7, 250 нм, 1999 г. K7, 180 нм, 2001 г. K8, 130 и 90 нм, 2003 и 2004 гг.

K8, 65 нм, 2006 г. K10, 65 и 45 нм, 2007 и 2009 гг. K12, 32 нм, 2011 г.

Ясно, что любое сделанное с нуля ядро будет иметь совершенно новую раскладку блоков, с учётом архитектуры, техпроцесса и прочих параметров. Однако лицо Атлонов словно застряло во времени: за 12 лет на семи поколениях техпроцессов взаимное расположение и даже относительный размер основных блоков почти не изменились! Для сравнения, за это время Intel сделала с нуля P4, P-M, Core 2, Nehalem и Atom (не считая тех же Itanium и других не x86-ЦП), каждый их которых имеет совершенно отличный расклад ядра. Нельзя сказать, что в AMD сидят лентяи - просто либо первоначальный расклад оказался исключительно удачным, либо (что куда более вероятно) в AMD не хватило людских ресурсов, чтобы разработать совершенно новую микроархитектуру ранее 2011 г. Поэтому каждый раз ограничивались такими обновлениями существующей, чтобы они не повлекли полной переделки ядра.

Впрочем, кое-какие сдвиги в K12 всё же достойны комментария. Из-за удлинившегося целочисленного (включающего в себя и резервации) контроллер L2 «вылез» дальше остальных блоков, так что по обе стороны от него есть полосы свободного места. Особенно его много у L1I - настолько, что, немного потеснившись в логике фронта, его можно было бы увеличить на 50%. В других местах тоже стало посвободней - прежде всего из-за чуть более широких кэшей. Однако не смотря на их перевод с 6- на 8-транзисторную ячейку, относительная длина у них почти та же, что и у K10. Тем не менее, инженеры могли бы сократить несколько долей миллиметра по длине, пересобрав некоторую мешающую этому логику. Но не сделали это либо из-за недостатка времени, либо за ненадобностью.


Ладно там независимые аналитики из интернетов - но как AMD умудрилась ошибиться в разрисовке своего же кристалла, проведя границу блока UVD по его середине?..

А причина ненадобности может оказаться весьма проста - по ширине 4-ядерный кристалл ограничен длиной ГП. В результате парам x86-ядер не тесно даже с мегабайтовыми кэшами L2 - вокруг них полно свободного места. А ведь можно было ограничиться половиной L2 и развернуть ядра и СМ на 90° - сверху от них (по фото) освободится пространство, где можно разместить половину драйверов шин памяти, а вторую - вдоль левого края (ничего страшного, у Athlon II X2 эта полоска имеет аж два излома). В результате чип станет чуть длиннее (на ширину драйверов ОЗУ), но куда у́же.

Рассмотрим теперь ГП. Сразу можно сделать наблюдение: каждый большой прямоугольный блок устроен по принципу «массивы - по периметру, логика - по центру». Массивы - это мелкие горизонтальные прямоугольнички, устройство которых удивительно похоже по всему ГП. Зато логика, наоборот, совершенно хаотична. Такая комбинация может быть, только если и логику, и массивы оптимизировали по площади (и, во вторую очередь, экономии) в ущерб частоте. Но тут она и не нужна - выше 850 МГц не поднимаются даже дискретные ГП этой архитектуры. Тем не менее, линейная регулярность в логике должна быть, но тут она видна только на крупноблочном уровне: можно сказать точно, что 5 столбцов одинаковых блоков по 5 строк - это те самые 400 ФУ и 20 TMU. Число ROP (8) не делится на 5, и т. к. вряд ли одна пара рендер-блоков отключена даже в старшем ГП - их среди регулярных столбцов, видимо, нет…


Одна из пяти строчек с (предположительно) 80 графическими ФУ в ГП Llano

Резонно предположить, что вычислительные тракты займут наибольшую часть места, и это будут два похожих столбца по центру. Однако неясно, почему они хоть немного, но отличаются, и почему в каждом из них должно быть по 8 пятёрок 32-битных ФУ, но визуально ничего подобного не наблюдается… Выходит, либо AMD играет с Фотошопом (как это до сих пор продолжается с изображениями кристалла 4-модульного Bulldozer - скоро увидите), либо инженеры бывшей ATI намудрили что-то такое, что распознать это не могут даже видавшие всякого аналитики:)

Впрочем, кое-что всё же видно: по периметру каждой половины блока есть 64 одинаковых регулярных массива. При этом в вычислительную часть SIMD-блока (помимо 80 SP) входят 16 (РФ) по 1024 128-битных регистра. Плотность этих РФ в битах/мм² оказывается лишь чуть меньше плотности кэша L2 для x86-ядер и примерно в 20 раз лучше, чем у векторно-вещественного РФ там же. И это при обязательной многопортовости! Вот какие транзисторные оптимизации доступны при низких целевых частотах.

Теперь сообразим, как выглядит 2-ядерный кристалл с младшим ГП на 240 ФУ и половиной ROP. Все уже заметили «трещину» посреди ГП? Очевидно, это и есть «линия разреза», остаться после которого суждено только нижней части - вместе с нижней парой x86-ядер. Но постойте, ведь в верхней половине ГП есть ещё куча нужной логики и блок UVD - где будут они? Допустим, что их уместят встык к ФУ и TMU, но тогда придётся подвинутся драйверам ОЗУ, которые должны быть расположены либо углом, либо в 4 ряда (а не в 2, как сейчас: по числу каналов).

Не меньший вопрос - насчёт «потерянных» двух ROP. По 4 этих блока должны оказаться по разные стороны «трещины» (у всех старших ГП их 8, а у младших - 4). Но не считая вышеуказанных пяти «вычислительных столбцов», все остальные блоки и сверху и снизу разные. Если кто-то из читателей сможет аргументированно привязать хоть что-то из них к схеме ГП - добро пожаловать в комментарии на форуме. Стоит добавить, что при сравнении с не менее качественным фото ядра APU Zacate (с ГП на 80 ФУ той же архитектуры) ничего похожего на структуры из Llano не видно… Экономия

Первый пункт - цифровое предсказание потребления в модуле управления питанием (Digital APM). До сих пор APM работал примерно так: собирая аналоговые данные с термодиодов и датчиков тока, модуль их оцифровывал и делал выводы об общем потреблении. Цифровой APM таким методом только подтверждает ранее сделанное предсказание, основанное на сборе статистики по загрузке отдельных блоков. Зная её и зависимость потребления этого конкретного блока от его прошлой и текущей нагрузок, можно вычислить, сколько через мгновение должен потреблять весь чип, исходя из его математической модели. Смысл этого в том, что предсказание делается куда быстрее реальных измерений, причём его не надо предварительно калибровать под особенности конкретного кристалла, как того требуют аналоговые датчики. Цифровой APM, замеряя 95 сигналов и ошибаясь менее чем на 2%, обеспечивает более быстрые подстройки частот и напряжений при колебаниях нагрузки - ещё до того, как кристалл среагирует изменением температуры.

Любопытная хитрость, позволяющая цифровой модели там мало отклоняться от реальности, заключается в том, что APM учитывает теплопроводность отдельных участков кристалла, зная их расположение, площадь и локальную температуру. Поток тепла перераспределяется из работающих блоков в соседние, которые, возможно, простаивают, оттягивая на себя часть тепла. Учитывая, что тепло отводится через всю поверхность чипа, но имеет ограничение по потоку (≈50 Вт/см²) - чем с большей площади идёт охлаждение, тем лучше. Таким образом, горячее место на кристалле, если оно окружено простаивающими блоками, будет охлаждаться не только над собой, но и немножко сбоку, что и учитывает модель APM. Ей надо также учесть, что технология кремния-на-изоляторе (), при всех её технических преимуществах, имеет и недостаток: слой диоксида кремния работает в качестве не только электро-, но и термоизолятора. При прочих равных КНИ-кристалл имеет больше шансов перегреться. Но AMD с этим знакома уже давно и наверняка что-то придумала:)


Пилообразная граница между доменами питания у Llano удлиняет периметр, позволяя разместить над двойным набором ключей (вертикальные пунктиры) силовые контакты (квадраты) смежных доменов для экономии места под ключи. Иллюстрация с доклада для конференции ISSCC

Второй момент - силовые ключи , подключающие «землю» к ядрам (шины питания тут всегда включены). Используются n-канальные транзисторы, эффективность которых в качестве ключей (особо низкое сопротивление во включенном режиме и особо высокое в выключенном) оказывается лучше, чем у p-канальных - что является следствием применения КНИ. Intel использует p-канальную коммутацию шин питания - т. к. у неё техпроцесс на цельном кремнии. AMD утверждает, что n-канальные транзисторы меньше и быстрее при тех же электрических параметрах. В результате утечка тока у отключенного ядра уменьшена в 10 раз. Фактические тесты действительно подтверждают резкое сокращение потребления ЦП при частичной или нулевой загрузке.


Карта утечек тока Llano (красный - больше, синий - меньше) при нулевом тактировании, полученная с помощью «meridian photon recombination». При этом никакого другого упоминания этой фразы в сети больше нет - что же это за загадочный метод? И почему часть ГП странно замазана?..

AMD также показала карту утечек тока в трёх случаях: когда цепи включены, когда выключен блок UVD и когда выключена вся графика. x86-ядра, разумеется, могут отключаться по отдельности в C6. При усыплении всех ядер напряжение на шине их питания снижается, чтобы уменьшить даже эту мизерную утечку. При этом APM позволяет усыпить ядро как по его просьбе (т. е. от исполняющейся на нём программе), так и по команде ОС (которая исполняется в другом ядре). Усыпление ГП происходит после неактивности в течение заданного времени. Усыпление UVD и контроллера PCIe - программное, через драйверы и BIOS соответственно.

Засыпание ↓ Пробуждение
Ядро активно
Смыв кэшей
Сохранение состояния в ОЗУ

Инициализация кэшей

Запуск загрузочного микрокода
(как после сброса)

Подключение перемычек
с коррекцией микрокода
Понижение частоты Повышение частоты
Отключение PLL
Отключение шин до СМ Подключение шин до СМ
Отключение силовой шины Подключение силовой шины

Включение и калибровка PLL
Ядро спит

В этой таблице указаны процедуры засыпания в состояние C6 и пробуждения из него. Последнее занимает 30 мкс для одного ядра и 100 мкс для всего ЦП (включая пробуждение модулей памяти), причём AMD обещает даже эти достойные цифры ещё улучшить. (Можете их сравнить с моделей Z6xx.) При этом в спящем ЦП всё равно работает APIC - программируемый контроллер прерываний, реагирующий на внешние события, включая регулярные пробуждения по таймеру. В отличие от того же «Атома», AMD не стала внедрять специальное буферное для хранения состояния ядра на кристалле, разумно полагая, что пока будут выполняться остальные процедуры, ИКП успеет подкачать нужные несколько сот байт.

Заметим, что шин питания , у Llano - две: для x86-ядер и всего остального, включая ГП (кроме умножителей, для которых есть отдельная слаботочная шина). Это чуть удешевляет плату, но не приводит к неоптимальному потреблению энергии. Второе напряжение является максимумом из потребностей СМ (включая ИКП), ГП, UVD и контроллера PCIe. При декодировании видео ГП простаивает, но запитывается полными вольтами - однако они не доходят до потребления, остановленные силовыми ключами. Похоже, что AMD нашла оптимум между ценой и экономией.

Наконец, третья добавка - разряжённая сеть тактирования . Через неё умножитель частоты передаёт потребителям тактовые импульсы нужной им частоты. Требуется, чтобы все импульсы дошли строго одновременно до всех частей потребителей, что вынуждает строить разветвлённое дерево дорожек, высчитывая их длину так, чтобы задержка распространения сигнала до любой конечной ветки была одинакова. Учитывая затухание сигнала, приходится регулярно ставить усилители, вносящие собственную задержку. В результате на полной частоте вся эта сеть потребляет значительную энергию, даже если никакой полезной работы не выполняется. Например, у Pentium 4 на её питание уходило до трети потребляемой мощности.

В AMD поступили так же, как и создатели Atom: сократили число буферов и усилителей вдвое, а число ветвей - впятеро, удалив ненужные с учётом нагрузки. Теперь при полной выкладке Llano тактирует всего 32% блоков (только фактически работающие), а при простое (без отключения блоков) - лишь 12%. Так получилось уменьшить на 54% потребляемую сетью мощность. Опять же - всё со слов AMD. В таблице рядом показаны результаты моделирования максимального потребления при питании 1 В.

Ещё три технологии касаются конкретно ГП. Во-первых, адаптивная модуляция подсветки (adaptive backlight modulation, ABM) плавно затемняет лампы или светодиоды подсветки при выводе «тёмной» картинки - при этом выводимые пиксели пропорционально осветляются, чтобы воспринимаемое изображение имело верную яркость. Во-вторых, сжатие кадрового буфера позволяет выводить только изменённые части кадра относительно предыдущего - с сильной экономией трафика шины (много ли пикселей меняется от кадра к кадру при перемещении курсора?). В-третьих, внешний ГП при простое спит, потребляя всего 0,2 Вт (с готовностью проснуться за 0,15 с), хотя это больше заслуга его устройства, а не процессора.

Что всё это даст потребителю? А то, что впервые со времён мобильных Pentium 4 AMD предложила платформу, достаточно экономную, чтобы если не выиграть, то хотя бы на равных соревноваться с соперником (при одинаковой скорости и ёмкости батарей). При этом вариант AMD стоит дешевле, если систему на базе Intel оснастить дискретным ГП, сравнимым со встроенным в Llano. Turbo Core 2.0

Экономия ватт даст больше шансов разогнать работающие ядра, что будет посильнее призрачных «6%», когда вычислительная производительность нужна во что бы то ни стало. Поможет в этом новый (по сравнению с внедрённым в Phenom II X6) алгоритм Turbo Core 2.0. Он работает во всех мобильных моделях, разгоняя их на 400-900 МГц, но не во всех настольных, где разгон - всего на 300 МГц. Причём для конкретного ЦП разгон либо включен, либо нет - никакой регулировки типа «от 100 до 500 МГц» нет. Если сравнить это с возможностями Turbo Boost, то видно, что AMD есть к чему стремиться.

Как и с Turbo Boost 2.0, теперь можно ненадолго превысить предел TDP, если температура ещё не подошла к своему лимиту. В версии 1.0 ускорение делалось на базе активности половины ядер, а не каждого по отдельности. Т. е. формула ускорения (приращение множителей при простое от N−1 до 0 ядер) для 6-ядерного Фенома выглядела так: x-x-x-0-0-0. Однако у Llano авторазгон присутствует и у 3-ядерного A6-3500 (т. е. с нечётным числом ядер), из чего можно сделать осторожный вывод, что TC 2.0, видимо, наконец-то научился работать с поядерной дискретностью. Проверить это, как ни странно, весьма трудно, т. к. AMD до сих пор не даёт возможность считать реальную частоту ядер. Кроме того, как уже сказано, не может ускоряться ГП. Пока… Модели, чипсеты и платформы

Как обычно, дадим ссылки на описания и моделей в Википедии и прокомментируем увиденное. Во-первых, не доверяйте всему, что там пишут над таблицами;) Во-вторых, знакомые имена ушли в прошлое, оставив лишь буквы и цифры. С буквами после номера модели просто: M - мобильная модель на 35 Вт, MX - на 45, K - настольная со свободным множителем. А вот их комбинации с цифрами уже возвращают нас в привычный бардак. В таблице указаны общие характеристики первых выпущенных видов Llano.

Ряд Число ядер Объём L2, МБ ГП Turbo Core Память TDP, Вт
E2 2 0,5×2 6370D нет DDR3-1600 65
E2-M 6380G у всех DDR3-1333 35
A4 2 0,5×2 6410D нет DDR3-1600 65
A4-M 1×2 6480G у всех DDR3-1333 35
A4-MX 45
A6 3/4 1×3/4 6530D иногда DDR3-1866 65/100
A6-M 4 1×4 6520G у всех DDR3-1333 35
A6-MX DDR3-1600 45
A8 4 1×4 6550D иногда DDR3-1866 65/100
A8-M 6620G у всех DDR3-1333 35
A8-MX DDR3-1600 45

Казалось бы, куда логично назвать все 4-ядерные модели - A8, а отличия в ГП оставить лишь в номерах. Не менее разумно оснастить все A4 полными кэшами L2, а все MX-версии - памятью на 1600 МГц (иначе не ясно, почему на +200 МГц базовой частоты x86-ядер модели A4-3310MX в сравнении с A4-3300M угрохали лишние 10 Вт). Из номеров моделей пока можно узнать, что первая цифра - 3, последняя - 0, а две средние - чем больше, тем лучше. При всём идиотизме такого описания - это всё, что можно сказать, чтобы не пускаться в исключения.

Занятно, что TС отсутствует у 100-ваттовых ЦП, хотя, казалось бы, у них-то точно потолок разгона высокий… Куда хуже то, что, несмотря на все ухищрения, меньше 65 Вт у настольных моделей нет. Разумеется, надо отдать должное неслабому ГП (даже у A4 и E2), но как минимум с маркетинговой точки зрения (по сравнению с модельным рядом Intel) смотрится плохо.

С тех пор уже объявлены новые модели, описание которых показывает, куда расширяется модельный ряд:

  • Помимо A8-3870K, планируется ещё одна разблокированная модель - A6-3670K на 2,7 ГГц (также без авторазгона) и ГП 6530D на 443 МГц. Таким образом, даже скромный игрок сможет быть разгонщиком;
  • Готовятся 4-ядерные Athlon II X4 моделей 631, 641 и 651 на 2,6, 2,8 и 3 ГГц, 100 Вт TDP, без TC и даже без ГП. К ним присоединятся и 2-ядерные Sempron X2 198 на 2,5 ГГц и Athlon II X2 221 на 2,8 (оба - с 0,5 МБ L2 и TDP на 65 Вт). Все они уже не APU - потому, видимо, их и назвали старыми именами. Возможно, эти модели придут, когда современные ЦП на 45 нм уже уйдут на покой, а новые ещё не появятся;
  • Модель A4-3305M отличается от A4-3300M тем, что имеет половинные кэши L2 и самый слабый ГП, зато последний работает на частоте 593 МГц (быстрее любого другого мобильного Llano). Таким образом, внезапная пятёрка внесла очередное исключение: по большинству характеристик 3305M относится к линейке E2;
  • Планируемые модели ноутбуков HP Pavilion в списке доступных ЦП имеют и другие модели Llano, которые вносят ещё больший бардак (например, больший номер может означать меньшую частоту, а буква M - 45 Вт TDP). Впрочем, эти номера запросто могут бесследно исчезнуть…

Настольные модели используют -корпус для разъёма Socket FM1 на 905 выводов, а мобильные - FS1 на 722. В будущем возможны мобильные модели в -корпусе для распайки на плате, хотя для них почему-то также указывается разъём - FP1. Интересно, что для этих ЦП TDP указан как 20 или 26 Вт для 2-ядерных и 30 Вт для 4-ядерных - нижняя граница вплотную подходит к чипам Zacate с ядрами Bobcat…

От чипсетов остались лишь южные мосты, потому что северный уже весь «сынтегрирован» - и это вдвойне хорошо, т. к. уже известно, что они смогут работать как минимум с некоторыми ЦП из второго поколения APU, выходящего в 2012 г. Официально чипсет называется Fusion Controller Hub («узел управления слиянием», смех в зале ), а неофициально - Hudson. Изготавливается по технорме 65 нм в корпусе FCBGA-605 размером 23×23 мм. FCH для Llano делятся на два класса - мобильные M с TDP 2,7–4,7 Вт и настольные D на 5 Вт.

  • Все версии имеют: 6 портов SATA 3.0 (на 6 Гбит/с), RAID 0/1, 4 порта PCIe 2.0 x1 и 3 PCI, VGA (аналоговая часть), звук HD Audio, 14 портов USB 2.0, гигабитный Ethernet, контроллер карт SD (до 32 ГБ и 25 МБ/с), встроенный тактовый генератор и поддержка UEFI (новый «BIOS»);
  • M2 (он же - A60M, предназначен для платформы Sabine): стандартная модель;
  • M3 (A70M, для Sabine): как M2, но 4 порта USB обновлены до версии 3.0;
  • D1 (A45, для Value Lynx): отсутствуют Ethernet, RAID, SD и VGA; все порты SATA - только версии 2.0; + 1 порт PCI;
  • D2 (A55, для Lynx и Carina): как M2, но с поддержкой RAID 10 и FIS-based switching (возможность подключения к порту SATA до 15 устройств через хаб-разветвитель);
  • D3 (A75, для Lynx и Carina): как D2, но 4 порта USB обновлены до версии 3.0.

Платформа Sabine - для «обычных» ноутбуков, Value Lynx - дешёвые домашние ПК, Lynx - «просто» домашние ПК, а Carina - офисные ПК. Чем отличаются последние два - неясно. Итого

В теории всё выглядит хорошо: AMD малыми усилиями сделала ЦП, некоторые характеристики которых можно с полным правом назвать передовыми и даже уникальными, что и обеспечит им продажи. Заменив старые Атлоны и добавив к ним графику за меньшие деньги и ватты, можно почувствовать, что прогресс есть даже у ЦП с 12-летней микроархитектурой. Но всему приходит конец - выходящее весной 2012 г. второе поколение APU Trinity уже будет использовать новые ядра Piledriver («улучшенный Бульдозер») и новый разъём Socket FM2 на 904 вывода (специально несовместимый с нынешним). В Trinity обещают ГП с новой архитектурой VLIW4 (используется пока только в чипе Cayman, он же Radeon HD 69x0), аппаратный видеокодер (VCE), подключение до трёх мониторов, наличие TC версии 3.0 (с разгоном ГП), поддержку DDR3-2133 и PCIe 3.0, 65–125 Вт TDP и обновлённые чипсеты.

А в следующих поколениях встроенных ГП на базе архитектуры «Southern Islands» появятся: лучшая поддержка языков высокого уровня для GPGPU (с использованием более привычной суперскалярных -ядер вместо ), общее адресное пространство с x86, 64-битная виртуальная адресация с подкачкой страниц, переключение контекста (для многозадачности) и протокол когерентности для PCIe (чтобы всё вышеперечисленное было возможно и для внешнего ГП).

На радостях от выпуска новых ЦП в AMD даже считать разучились, заявив в одном из слайдов, что «APU знаменуют самый большой сдвиг в технологии ПК с момента изобретения x86-ЦП более 40 лет назад». Изобретения? Более 40 лет назад? Ну, пока кто-то в AMD открывает для себя непознанные страницы истории (или арифметики) - отдадим дань окончательно уходящим на покой Атлонам. Из них выжали всё, и этого хватило надолго.

Идея прямого омывания кристалла процессора водой не нова. Современные процессоры снабжаются теплораспределителями, которые контактируют с кристаллом ядра через слой термопасты. Не секрет, что такое сопряжение является "узким местом" в цепочке, обеспечивающей отвод тепла от ядра процессора. Некоторые оверклокеры пытаются улучшить условия охлаждения ядра, для чего снимают крышки с процессоров. Однако, и после этого кристаллу ядра обычно приходится контактировать с подошвой водоблока или радиатора воздушного кулера.

Идея прямого омывания ядра заключается в том, чтобы поток воды забирал тепло непосредственно у кристалла, однако практическая реализация этой идеи до сих пор сдерживалась факторами риска, которые неизбежно возникают при контакте электронных компонентов с токопроводящей средой, коей является и вода.

Как сообщает сайт VR-Zone , швейцарским учёным из лаборатории IBM удалось разработать технологию микроканального прямого омывания микрочипов, которая может найти применение при охлаждении компонентов в обозримом будущем. Современные процессоры достигают плотности теплового потока 100 Вт на кв.см площади ядра, и эффективно отводить тепло от таких процессоров при помощи воздушных кулеров становится всё труднее. Новая технология позволяет отводить до 370 Вт с одного квадратного сантиметра площади ядра.

Принцип действия новой системы охлаждения демонстрируется этой иллюстрацией. Система из 50 000 микроканалов шириной 30-50 микрометров (0.03-0.05 мм) пронизывает радиатор охлаждения процессора, который монтируется непосредственно на "обнажённое" ядро. Между подошвой радиатора и поверхностью ядра создаётся небольшой зазор, который в рабочем состоянии заполняется водой. От протечек систему защищает специальное уплотнение.

По системе микроканалов, очень напоминающих кровеносную систему человека, вода подаётся в рабочую полость этого импровизированного водоблока, по этой же системе (но другим каналам) нагретая вода отсасывается. Разработчики утверждают, что на обеспечение циркуляции жидкости нужно тратить гораздо меньше сил, чем в случае с обычными системами водяного охлаждения. Данный принцип был заимствован у природы. Это означает, что помпа, подающая жидкость, не обязательно должна быть мощной.

Кстати, такая микроканальная структура может использоваться и в сфере воздушного охлаждения. Например, для равномерного распределения термопасты по поверхности кристалла ядра. Микроканальная система может встраиваться в теплораспределитель процессора, она не будет сообщаться с внешним миром.

На этой фотографии показан радиатор с микроканальной структурой, работающий по принципу прямого омывания ядра. На заднем плане виднеется сам чип, который он должен охлаждать. Снизу же расположен медный радиатор весом в несколько килограмм, имеющий сопоставимую с изобретением IBM эффективность.

Разработка позволяет повысить плотность теплового потока в шесть раз по сравнению с существующими системами воздушного охлаждения. Если учесть, что процессоры становятся всё более компактными, даже без учёта возможности роста тепловыделения плотность теплового потока будет расти. Вполне возможно, новую технологию охлаждения IBM применит на своих 0.065 мкм процессорах семейства Power6 , которые будут работать на частотах свыше 4.0 ГГц.

Здравствуйте, дорогие читатели. Сегодня мы Вам покажем, из чего состоит процессор изнутри. Многие пользователи, конечно, имели опыт с установкой процессора на материнскую плату, но не многие знают о том, как он выглядит изнутри. Мы постараемся объяснить Вам на достаточно простом языке, что бы было понятно, но в то же время не опуская подробностей. Прежде, чем начать рассказывать о составных частях процессора, Вы можете ознакомится с очень любопытным российским прототипом Эльбрус .

Многие пользователи считают, что процессор выглядит именно так, как показано на рисунке.

Однако это вся конструкция в сборе, которая состоит из более мелких и жизненно важных частей. Давайте посмотрим, из чего состоит процессор изнутри. В состав процессора входит:

На рисунке выше под номером 1 изображена защитная крышка, которая обеспечивает механическую защиту от попадания пыли и других мелких частиц. Крышка изготовлена из материала, который имеет высокий коэффициент теплопроводности, что позволяет забирать лишнее тепло с кристалла, тем самым обеспечивая нормальный температурный диапазон работы процессора.

Под номером 2 изображен «мозг» процессор и компьютера в целом — это кристалл. Именно он считается самым «умным» элементом процессора, который выполняет все возложенные на него задачи. Вы можете увидеть,что на кристалл нанесена тонким слоем микросхема, которая обеспечивает заданное функционирование процессора. Наиболее часто кристаллы процессора делают из кремния: это обуславливается тем, что этот элемент имеет достаточно сложные молекулярные связи, которые используются при формировании внутренних токов, что обеспечивает созданию многопоточной обработки информации.

Под номером 3 показана текстолитовая платформа, к которой крепятся все остальные делали: кристалл и крышка. Эта платформа так же играет роль хорошего проводника, который обеспечивает хороший электрический контакт с кристаллом. На обратной стороне платформы с целью повышения электропроводности находится много точек, изготовленных из драгоценного метала (иногда используют даже золото).

Вот как выглядят электопроводящие точки на примере процессора Intel.

Форма контактов зависит от того, какой сокет стоит на материнской плате. Бывет и так, что вмето точек на обратной стороне платформы Вы можете увидеть штырьки, которые выполняют ту же роль. Как правило, для процессоров семейства Intel штырьки находятся в самой материнской плате. В этом случае на подложке (она же платформа) будут располагаться точки. Для семейства процессоров AMD штырьки находяться непосредственно на самой подложке. Выглядят такие процессоры следующим образом.

Теперь рассмотрим сам способ крепления всех деталей. Для того, что бы крышка прочно удерживалась на подложке, ее «садят» при помощи специального клея-герметика, который устойчивый у большим температурам. Это позволяет конструкции находится в постоянной связке, не нарушая ее целостности.

Для того, что бы кристалл не перегревался, на него наносят специальную прокладку 1, поверх которой, в свою очередь, наносится термопаста 2, обеспечивающая эффективный теплоотвод на крышку. Крышка так же «смазывается» с внутренней стороны термопастой.

Давайте теперь посмотрим, как выглядит двухъядерный процессор. Ядро представляет собой отдельный функционально независимый кристалл, который параллельно устанавливается на подложку. Выглядит это так.

Таким образом 2 установленных рядом ядра увеличивают сумарную мощность процессора. Однако, если Вы увидите 2 кристалла, стоящих рядом, это не всегда будет означать, что у Вас двухъядерный процессор. На некоторых сокетах устанавливаются 2 кристалла, один из которых отвечает за арифметико-логическую часть, а другой — за обработку графики (некий встроенный графический процессор). Это выручает в тех случаях, когда у Вас встроенная видеокарта, мощности которой не хватает справится, например, с какой-нибудь игрой. В тих случаях львиную долю вычислений берет на себя графическая часть центрального процессора. Вот так выглядит процессор с графическим ядром.

Вот так вот, друзья, мы с Вами и разобрались, из чего состоит процессор. Теперь стало ясно, что все устройства, входящие в состав процессора, играют важную и незаменимую роль для качественной работы. Не забывайте комментировать статьи нашего сайта, подписывайтесь на нашу рассылку и узнавайте много интересного. Ваше мнение Важно для нас!

Производство микросхем — весьма непростое дело, и закрытость этого рынка диктуется в первую очередь особенностями главенствующей в наши дни технологии фотолитографии. Микроскопические электронные схемы проецируются на кремниевую пластину через фотошаблоны, стоимость каждого из которых может достигать $200 000. А между тем для изготовления одного чипа требуется не меньше 50 таких масок. Добавьте к этому стоимость «проб и ошибок» при разработке новых моделей, и вы поймете, что производить процессоры могут только очень большие компании очень большими тиражами.

А что делать научным лабораториям и высокотехнологичным стартапам, которым необходимы нестандартные схемы? Как быть военным, для которых закупать процессоры у «вероятного противника» — мягко говоря, не комильфо?

Мы побывали на российском производственном участке голландской компании Mapper, благодаря которой изготовление микросхем может перестать быть уделом небожителей и превратится в занятие для простых смертных. Ну или почти простых. Здесь, на территории Технополиса «Москва» при финансовой поддержке корпорации «Роснано» производится ключевой компонент технологии Mapper — электронно-оптическая система.

Однако прежде чем разбираться в нюансах безмасочной литографии Mapper, стоит вспомнить основы обычной фотолитографии.

Неповоротливый свет

На современном процессоре Intel Core i7 может располагаться около 2 млрд транзисторов (в зависимости от модели), размер каждого из которых — 14 нм. В погоне за вычислительной мощностью производители ежегодно уменьшают размеры транзисторов и увеличивают их число. Вероятным технологическим пределом в этой гонке можно считать 5 нм: на таких расстояниях начинают проявляться квантовые эффекты, из-за которых электроны в соседних ячейках могут вести себя непредсказуемо.

Чтобы нанести на кремниевую пластину микроскопические полупроводниковые структуры, используют процесс, похожий на работу с фотоувеличителем. Разве что цель у него обратная — сделать изображение как можно меньше. Пластину (или защитную пленку) покрывают фоторезистом — полимерным фоточувствительным материалом, который меняет свои свойства при облучении светом. Требуемый рисунок чипа экспонируют на фоторезист через маску и собирающую линзу. Напечатанные пластины, как правило, в четыре раза меньше, чем маски.


Такие вещества, как кремний или германий, имеют по четыре электрона на внешнем энергетическом уровне. Они образуют красивые кристаллы, похожие на металл. Но, в отличие от металла, они не проводят электрический ток: все их электроны задействованы в мощных ковалентных связях и не могут двигаться. Однако все меняется, если добавить к ним немного донорной примеси из вещества с пятью электронами на внешнем уровне (фосфора или мышьяка). Четыре электрона вступают в связь с кремнием, а один остается свободным. Кремний с донорной примесью (n-типа) — неплохой проводник. Если добавить к кремнию акцепторную примесь из вещества с тремя электронами на внешнем уровне (бор, индий), аналогичным образом образуются «дырки», виртуальный аналог положительного заряда. В таком случае речь идет о полупроводнике p-типа. Соединив проводники p- и n-типа, мы получим диод — полупроводниковый прибор, пропускающий ток только в одном направлении. Комбинация p-n-p или n-p-n дает нам транзистор — через него ток протекает только в том случае, если на центральный проводник подается определенное напряжение.

Свои коррективы в этот процесс вносит дифракция света: луч, проходя через отверстия маски, немного преломляется, и вместо одной точки экспонируется серия концентрических кругов, как от брошенного в омут камня. К счастью, дифракция находится в обратной зависимости от длины волны, чем и пользуются инженеры, применяя свет ультрафиолетового диапазона с длиной волны 195 нм. Почему не еще меньше? Просто более короткая волна не будет преломляться собирающей линзой, лучи будут проходить насквозь, не фокусируясь. Увеличить собирающую способность линзы тоже нельзя — не позволит сферическая аберрация: каждый луч будет проходить оптическую ось в своей точке, нарушая фокусировку.

Максимальная ширина контура, которую можно отобразить с помощью фотолитографии, — 70 нм. Чипы с более высоким разрешением печатают в несколько приемов: наносят 70-нанометровые контуры, протравливают схему, а затем экспонируют следующую часть через новую маску.

Сейчас в разработке находится технология фотолитографии в глубоком ультрафиолете, с применением света с экстремальной длиной волны около 13,5 нм. Технология предполагает использование вакуума и многослойных зеркал с отражением на основе межслойной интерференции. Маска тоже будет не просвечивающим, а отражающим элементом. Зеркала лишены явления преломления, поэтому могут работать со светом любой длины волны. Но пока это лишь концепция, которую, возможно, станут применять в будущем.

Как сегодня делают процессоры


Идеально отполированную круглую кремниевую пластину диаметром 30 см покрывают тонким слоем фоторезиста. Равномерно распределить фоторезист помогает центробежная сила.


Будущая схема экспонируется на фоторезист через маску. Этот процесс повторяется многократно, потому что из одной пластины получается множество чипов.


Та часть фоторезиста, которая подверглась ультрафиолетовому излучению, становится растворимой и с легкостью удаляется с помощью химикатов.


Участки кремниевой пластины, не защищенные фоторезистом, подвергаются химическому травлению. На их месте образуются углубления.


На пластину вновь наносят слой фоторезиста. На этот раз с помощью экспонирования обнажают те участки, которые подвергнутся ионной бомбардировке.


Под воздействием электрического поля ионы примесей разгоняются до скоростей более 300 000 км/ч и проникают в кремний, придавая ему свойства полупроводника.


После удаления остатков фоторезиста на пластине остаются готовые транзисторы. Сверху наносят слой диэлектрика, в котором по все той же технологии протравливают отверстия под контакты.


Пластину помещают в раствор сульфата меди, и с помощью электролиза на нее наносят проводящий слой. Затем весь слой снимают шлифовкой, а контакты в отверстиях остаются.


Контакты соединяются многоэтажной сетью из металлических «проводов». Количество «этажей» может достигать 20, а общая схема проводников называется архитектурой процессора.


Только теперь пластину распиливают на множество отдельных чипов. Каждый «кристалл» тестируют и лишь затем устанавливают на плату с контактами и накрывают серебряной крышкой-радиатором.

13 000 телевизоров

Альтернативой фотолитографии считают электролитографию, когда экспонируют не светом, а электронами, и не фото-, а электрорезист. Электронный пучок легко фокусируется в точку минимального размера, вплоть до 1 нм. Технология напоминает электронно-лучевую трубку телевизора: сфокусированный поток электронов отклоняется управляющими катушками, рисуя изображение на кремниевой пластине.

До последнего времени эта технология не могла конкурировать с традиционным методом из-за низкой скорости. Чтобы электрорезист среагировал на облучение, он должен принять определенное количество электронов на единицу площади, поэтому один луч может экспонировать в лучшем случае 1 см2/ч. Это приемлемо для единичных заказов от лабораторий, однако неприменимо в промышленности.

К сожалению, решить проблему, увеличив энергию луча, невозможно: одноименные заряды отталкиваются, поэтому при увеличении тока пучок электронов становится шире. Зато можно увеличить количество лучей, экспонируя несколько зон одновременно. И если несколько — это 13 000, как в технологии Mapper, то, согласно расчетам, можно печатать уже десять полноценных чипов в час.


Конечно, объединить в одном устройстве 13 000 электронно-лучевых трубок было бы невозможно. В случае Mapper излучение из источника направляется на коллиматорную линзу, которая формирует широкий параллельный пучок электронов. На его пути встает апертурная матрица, которая превращает его в 13 000 отдельных лучей. Лучи проходят через матрицу бланкеров — кремниевую пластину с 13 000 отверстий. Около каждого из них располагается отклоняющий электрод. Если на него подается ток, электроны «промахиваются» мимо своего отверстия, и один из 13 000 лучей выключается.

Пройдя бланкеры, лучи направляются к матрице дефлекторов, каждый из которых может отклонять свой луч на пару микронов вправо или влево относительно движения пластины (так что Mapper все же напоминает 13 000 кинескопов). Наконец, каждый луч дополнительно фокусируется собственной микролинзой, после чего направляется к электрорезисту. На сегодняшний день технология Mapper прошла тестирование во французском научно-исследовательском институте микроэлектроники CEA-Leti и в компании TSMC, которая производит микропроцессоры для ведущих игроков рынка (в том числе и для Apple iPhone 6S). Ключевые компоненты системы, включая кремниевые электронные линзы, производятся на московском заводе.

Технология Mapper обещает новые перспективы не только исследовательским лабораториям и мелкосерийным (в том числе военным) производствам, но и крупным игрокам. В настоящее время для тестирования прототипов новых процессоров приходится изготавливать точно такие же фотошаблоны, как для массового производства. Возможность относительно быстрого прототипирования схем обещает не только снизить стоимость разработки, но и ускорить прогресс в этой области. Что в конечном счете на руку массовому потребителю электроники, то есть всем нам.



Авторы статьи: Гвинджилия Григорий и Пащенко Сергей